ｃ）、パラメトリックＥＱの実験
c-2）、フリケンシーイコライザの回路構成
ⅰ）回路形式による分類
フレケンシーイコライザの回路構成は代表的な物では、①ＪＶＣのＳＥＡに代表される減衰時には信号回路にアッテネータを入れ、此のアッテネータの受け側に直列共振回路をパラ付けしてディップ（谷）特性を得、逆に同じ直列共振回路を主アンプのＮＦ受け抵抗にパラ付けしてピーク（山）特性を得る方式（仮にＡＴＴ－ＮＦ方式と呼ぶ。）と、此のコイル（Ｌ）をジェネラルインピーダンスコンバータ（ＧＩＣ）を使ってＣ、Ｒ、半導体の置き換えた物、嘗て②松下電器が基本特許を持っていてテクニクスに採用されていた電流合成加減算方式の二種類がある。
他にも英国のミキサーメーカーのＳＳＬが採用していた方式等が有りますが、此処では上記２方式に就いて比較をしてみたいと思います。
フレケンシーイコライザを回路形式で分類すると下図の様になります。
〈表5C-2〉イコライザの回路形式による分類 |
①ＡＴＴ－ＮＦ方式
ＡＴＴ－ＮＦ方式のフレケンシーイコライザ（ＦＥＱ）の基本回路図を左図
〈ＦＩＧ５ｃ２ａ１〉に示します。
この方式はＪＶＣのＳＥＡとして良く知られている方式で、一般的なＦＥＱと言う時はこの方式の事を指します。
動作原理はＲ１とスライドＶＲの上半分、Ｒ３で構成されるアッテネータ回路（ＡＴＴ）にＬＣＲの直列共振回路を並列に挿入してカットダウン（ディップ）特性を得ます。 同様にレベルを持ち上げるにはＲ４、スライドＶＲの下半分、Ｒ５で構成されるＮＦ回路にＬＣＲの直列共振回路を並列に挿入して帰還率を可変してピーク特性を得ます。
左図〈ＦＩＧ５ｃ２ａ２〉にＳＰＩＣＥを使ってピーキング特性をシミュレーションした例を示します。ピークの頂点のレベルはＮＦ抵抗Ｒ５と直列共振回路のダンプ抵抗Ｒ６で決定されます。同様にディップの谷のレベルは入力シリーズ抵抗Ｒ２とＲ６で決まります。
この方式の欠点としてスライドＶＲを可変してレベルの変化量を小さくした時はピーク又は谷の共振峰のＱが低下する事です。この為、数バンドに亘って可変レベルがが小さい状態で使用する時はスライドＶＲのノブの位置で表示されるカーブと実際の周波数特性は全く違った物になる事で必ず周波数特性監視装置で確認をする必要が有ります。
左図〈ＦＩＧ５ｃ２ａ３〉にレベルを下げた時、Ｑが下がる例を示します。分かり難いですがカーブのスカート部が広がって居るのが確認できます。
次にＧＩＣ共振回路方式はＬをシュミレーテッドインダクタに置き換えた物ですので此処では取り扱いません。興味の有る方は其方面の資料を参照して下さい。
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