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《解説》
初段がデュアルＦＥＴによる差動１段型のソリッドステートアンプです。ファイナル段は４パラまでトランジスタの数を増やすことが出来ます。２段目(ドライブ段）はグランドに対して回路が対称になる様に、且つ、レイルツーレイルドライブが出来る様に初段の信号をカレントミラーと電圧シフターでー電源側に振っています。ドリフト対策としてＤＣサーボが掛けられています。詳しくはパワーアンプブロックの回路図を参照下さい。
パワーブロックユニットには出力ミューティングを兼ねたＤＣ出力保護回路が入っています。保護回路の電源にクリクソン等の温度スイッチを介挿すれば異常温度保護回路を構成することが出来る様設計されています。
亦、回路図を見ればお分かりの様にトランジスタ保護のためＡＳＯリミッタが装着されています。
同様にミューティングリレーの接点接触抵抗を少しでも低減するためにリレーの前後からＮＦＢを掛けています。
これの御陰でＤＦ値が８オーム負荷に対してＤＦ＝３２０（ＲＬ＝８Ω、ｆ＝１ｋＨｚ）取れました。
今回使用したトロイダル電源トランスは３０数年前に貰ってきて倉庫の隅で眠っていた物ですが、ＤＣサーボ回路、及びリレードライブ電源の電源電圧が通常使用すると不足するので倍電圧半波整流回路を４回路使って±両整流波として所望の電圧を得ています。
このためＤＣサーボのＯＰアンプの電源の立ち下がり時間とリレーの遮断時間のタイミングが合わずに電源ｏｆｆ時に少しポップノイズが出たので電源回路の工夫で、何とかノイズが問題にならない様に凌ぎました。
何分にも手持ちの有り合わせの部品で作っていますのでそれなりに工夫が要ります。
特性的には、周波数特性が１Ｈｚ～１００ｋＨｚで＋０ｄＢ、－１．０ｄＢ以内です。
歪み率は２０Ｈｚ～２０ｋＨｚにて、Ｐｏ＝１００Ｗ／８Ω出力時にＴＨＤ＋Ｎ≦０．００５％に収まっています。
オーバーオールのＮＦＢ量を少なく仕上げてあるので容量負荷試験でもインディシャル応答波形は頗る安定になっています。波形写真は上の７枚がＲＬ＝８Ω負荷時、下の７枚がＲＬ＝∞で、負荷容量の値は、１０００ｐＦ～２．２ｕＦですが０．０４７ｕＦ以下ではＲＬ＝８Ω
及びＲＬ＝∞でも変化が観測出来なかったので省いてあります。
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